Die Elektronikbranche erlebt einen signifikanten Wandel hin zu kompakteren und leistungsfähigeren Systemen, die durch technologische Fortschritte und den zunehmenden Fokus auf die Dekarbonisierung angetrieben werden. Mit der Einführung der neuen Thin-TOLL 8×8- und TOLT-Gehäuse beschleunigt und unterstützt die Infineon Technologies AG diesen Trend. Die Gehäuse ermöglichen es, das PCB-Mainboard sowie die Tochterkarten maximal auszureizen und berücksichtigen dabei auch die thermischen Anforderungen und Platzbeschränkungen des Systems. Infineon erweitert nun sein Portfolio an diskreten CoolSiC™ MOSFETs 650 V um zwei neue Produktfamilien im Thin-TOLL 8×8- und TOLT-Gehäuse. Sie basieren auf der zweiten Generation (G2) der CoolSiC-Technologie und zeichnen sich durch deutlich verbesserte Figures-of-Merit, eine höhere Zuverlässigkeit und eine bessere Benutzerfreundlichkeit aus. Beide Produktfamilien sind speziell auf hohe und mittlere Frequenzen bei Schaltnetzteilen (SMPS) ausgerichtet, einschließlich KI-Server, erneuerbare Energien, Ladegeräte für Elektrofahrzeuge und große Haushaltsgeräte.
Das Thin-TOLL-Gehäuse hat einen Formfaktor von 8×8 mm und bietet die beste Thermozyklusfähigkeit (Thermal Cycling on Board, TCoB) auf dem Markt. Bei TOLT handelt es sich um ein TSC-Gehäuse (Top-Side-Cooled) mit einem ähnlichen Formfaktor wie TOLL. Beide Gehäusetypen bieten Entwicklerinnen und Entwicklern mehrere Vorteile: Werden sie zum Beispiel in KI- und Server-Netzteilen eingesetzt, verringern sich die Dicke und Länge der Tochterkarten, und es kann ein flacher Kühlkörper verwendet werden. Beim Einsatz in Mikroinvertern, 5G PSU, TV PSU und SMPS reduziert das Thin-TOLL 8×8-Gehäuse die von den Stromversorgungsbauteilen beanspruchte PCB-Fläche auf der Hauptplatine. Parallel dazu hält TOLT die Sperrschichttemperatur der Bauteile unter Kontrolle, denn diese Anwendungen nutzen in der Regel Konvektionskühlung. Die TOLT-Bauteile vervollständigen das Portfolio der industriellen CoolSiC-Bauteile mit Oberseitenkühlung von Infineon, konkret CoolSiC 750 V im Q-DPAK-Gehäuse. Dadurch kann die von SiC-MOSFETs beanspruchte Leiterplattenfläche reduziert werden, sofern die Stromversorgung der Bauteile kein Q-DPAK-Gehäuse erfordert.
Verfügbarkeit
Die CoolSiC MOSFETs 650 V G2 in Thin-TOLL 8×8 und TOLT sind jetzt in R DS(on) von 20, 40, 50 und 60 mΩ erhältlich. Die TOLT-Variante ist zusätzlich mit einem R DS(on) von 15 mΩ verfügbar. Das Portfolio wird bis Ende 2024 um weitere Produkte ergänzt werden. Weitere Informationen sind erhältlich unter www.infineon.com/coolsic-gen2. Infineon wird die CoolSiC MOSFET 650 V Generation 2 auf der PCIM in Nürnberg ausstellen.
Infineon auf der PCIM Europe 2024
Die PCIM Europe findet vom 11. bis 13. Juni 2024 in Nürnberg statt. Infineon wird seine Produkte und Lösungen für die Dekarbonisierung und Digitalisierung in Halle 7, Stände 470 und 169 präsentieren.
